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二次イオン質量分析装置(SIMS):詳細(活用事例)

SIMSは、高感度(~ppm)かつ深さ方向分析を行なえるのが特長です。特に、半導体材料における不純物(ドーパント)分析に適しています。また、水素を含む全元素を分析可能です。

極微量の元素分析例

図は、ゲルマニウム(Ge)中のドーパント(ヒ素As)を評価した例です。As濃度が 1×1020 [atoms/cm3]のレベルで検出され、拡散深さは、0.4µm程度あることが分かります。
(信州大学の成果公開利用による成果から)


SIMS分析によって得られたGe試料の表面からのAs濃度分布